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格罗方德携手SiFive:共同HBM2E芯片设计

格罗方德(GlobalFoundries)与SiFive周二发布,两家公司将合营开拓基于12LP/12LP+ FinFET工艺的HBM2E存储器。两家公司盼望经由过程打包HGM2E存储器IP,使SoC设计职员能够快速将HBM2E集成到必要大年夜量带宽的芯片中。

详细说来,格罗方德与SiFive在HBM2E的实施规划包括格罗方德设计的2.5D封装(中心层)以及SiFive开拓的HBM2E接口层。除了HBM2E技巧,SiFive还容许被授权放应用该公司的RISC-V产品组合以及格罗方德12/12LP+ DesignShare IP生态系统,使得SoC开拓职员能够基于格罗方德先辈的制造技巧,来打造基于RISC-V的设备。

格罗方德和SiFive合营指出,12LP+制造工艺和HBM2E的实施,将主要用于先辈的人工智能练习和推理利用,并盼望供应商对TOPS机能进行优化。

对付格罗方德而言,必要特殊工艺,且可能因为资源或其它缘故原由,无法为应对台积电(TSMC)和三星(Samsung Foundry)的领先工艺做好筹备。至于与SiFive的相助,RISC-V本身不太可能用于深度进修加速器的核心逻辑,但至少可用于节制此中数据流所需的嵌入式CPU内核靠得住架构。

SiFive的HBM2E接口以及针对格罗方德12LP/12LP+技巧的定制IP,正在纽约马耳他GF8号工厂开拓中。两家公司估计在2020上半年完成事情,届时将开放IP的授权事情。

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